課程介紹：

本課程首先指出傳統MOSFET發展的瓶頸，進一步說明FinFET的結構、製程及特性，闡釋該結構何以能提供更佳功耗和效能優勢。

課程設計說明：

目前主流的平面CMOS元件結構，在近年內即將面臨其物理極限而難以繼續微縮，而引用新式3D FinFET將可協助製程廠商解決這個瓶頸，並延續其在技術上的優勢。

    當代的生產線及研發工程人員，皆須了解此新型結構的原理及特性，及在製造過程中所可能發生的問題及提升良率的關鍵，才得以在新一代製程技術競賽中脫穎而出。本課程將詳細介紹3D FinFET的發展、原理、特性及製程，使學員在課程結束後能對此新式結構有完整的了解，為新一代的製程發展做好準備。

課程大綱：

1. 傳統MOSFET及其限制
(1) MOSFET元件的操作原理與功能 
(2) MOSFET操作與尺寸上的關係
(3) MOSFET元件製作
(4) MOSFET元件的限制

2. 3D-FINFET的發展及特性
(1) FINFET元件的發展
(2) FINFET元件的3D構造
(3) FINFET元件特性

3. 3D-FINFET的製作與製程 
(1) FINFET元件的製程介紹
(2) FINFET元件的不同構造與製程
(3) FINFET元件的極限

4. 3D-FINFET的原理與特性分析
(1) FINFET元件的原理
(2) FINFET元件的特性曲線
(3) FINFET元件的特性分析

課程時間：2015/5/16-5/23，每週六，10:00~17:00，共12小時